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DME914C10R

メーカー: Panasonic Electronic Components
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: DME914C10R
説明: TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Panasonic Electronic Components
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 125mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
トランジスタタイプ 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
ベース部材番号 DME914C1
抵抗基地(R1) 4.7kOhms
周波数-遷移 300MHz
サプライヤー装置パッケージ SSMini6-F3-B
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA, 500mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V, 12V

在庫が 7785 pcs

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