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DMG563H50R

メーカー: Panasonic Electronic Components
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: DMG563H50R
説明: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Panasonic Electronic Components
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
トランジスタタイプ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ベース部材番号 DMG563
抵抗基地(R1) 47kOhms, 10kOhms
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ SMini5-F3-B
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 80 @ 5mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 81 pcs

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