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UNR422100A

メーカー: Panasonic Electronic Components
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: UNR422100A
説明: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Panasonic Electronic Components
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
部地位 Obsolete
-マックス 300mW
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 3-SSIP
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
抵抗基地(R1) 2.2 kOhms
周波数-遷移 200MHz
サプライヤー装置パッケージ NS-B1
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 2.2 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 5mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max) 500mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 1µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 40 @ 100mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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