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UNR51AVG0L

メーカー: Panasonic Electronic Components
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: UNR51AVG0L
説明: TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Panasonic Electronic Components
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
部地位 Obsolete
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-85
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased
抵抗基地(R1) 2.2 kOhms
周波数-遷移 80MHz
サプライヤー装置パッケージ SMini3-F2
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 2.2 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 1.5mA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 80mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 6 @ 5mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 60 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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