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UNR52A4G0L

メーカー: Panasonic Electronic Components
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: UNR52A4G0L
説明: TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Panasonic Electronic Components
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Obsolete
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-85
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
抵抗基地(R1) 10 kOhms
周波数-遷移 150MHz
サプライヤー装置パッケージ SMini3-F2
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 300µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 80mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 80 @ 5mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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