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2SA2007E

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: 2SA2007E
説明: TRANS PNP 60V 12A TO220FN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Bulk
部地位 Not For New Designs
-マックス 25W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3 Full Pack
トランジスタタイプ PNP
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 80MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-220FN
vイス(Max) @ Ib、Ic 500mV @ 400mA, 8A
現在-コレクター・Ic (Max) 12A
トラッキング・キュートフ(マックス) 10µA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 320 @ 2A, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 60V

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