画像は参考までに、仕様書を参照してください

BR25G128F-3GE2

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Memory
データシート: BR25G128F-3GE2
説明: SPI BUS EEPROM
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
技術 EEPROM
メモリサイズ 128Kb (16K x 8)
メモリタイプ Non-Volatile
部地位 Active
メモリフォーマット EEPROM
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
クロック周波数 20MHz
メモリ・インターフェース SPI
電圧-供給 1.6V ~ 5.5V
作動温度 -40°C ~ 85°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 8-SOP
サイクル時間−単語,ページを書く 5ms

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