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BR25G512FVT-3GE2

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Memory
データシート: BR25G512FVT-3GE2
説明: SPI BUS EEPROM
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
技術 EEPROM
メモリサイズ 512Kb (64K x 8)
メモリタイプ Non-Volatile
部地位 Active
メモリフォーマット EEPROM
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
クロック周波数 10MHz
メモリ・インターフェース SPI
電圧-供給 1.8V ~ 5.5V
作動温度 -40°C ~ 85°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 8-TSSOP-B
サイクル時間−単語,ページを書く 5ms

在庫が 4052 pcs

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