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BSM180D12P2C101
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | BSM180D12P2C101 |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ROHM Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | - |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 包装 | Bulk |
| fet特徴 | Silicon Carbide (SiC) |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 1130W |
| パケット/場合 | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
| 作動温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | - |
| サプライヤー装置パッケージ | Module |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | - |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 1200V (1.2kV) |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 10V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 204A (Tc) |
在庫が 21 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $410.07 | $401.87 | $393.83 |
最小: 1
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