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DTA123JUAT106

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	DTA123JUAT106
説明:	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Cut Tape (CT)
部地位	Not For New Designs
-マックス	200mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SC-70, SOT-323
トランジスタタイプ	PNP - Pre-Biased
ベース部材番号	DTA123
抵抗基地(R1)	2.2 kOhms
周波数-遷移	250MHz
サプライヤー装置パッケージ	UMT3
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	47 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	80 @ 10mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V