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DTB123ESTP

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: DTB123ESTP
説明: TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Box (TB)
部地位 Obsolete
-マックス 300mW
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 SC-72 Formed Leads
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased
ベース部材番号 DTB123
抵抗基地(R1) 2.2 kOhms
周波数-遷移 200MHz
サプライヤー装置パッケージ SPT
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 2.2 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
現在-コレクター・Ic (Max) 500mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 39 @ 50mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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