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DTC023EEBTL

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: DTC023EEBTL
説明: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
部地位 Active
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-89, SOT-490
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
抵抗基地(R1) 2.2 kOhms
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ EMT3F (SOT-416FL)
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 2.2 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 200mV @ 1mA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) -
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 20 @ 20mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 1274 pcs

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