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DTC114EEFRATL

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: DTC114EEFRATL
説明: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ Automotive, AEC-Q101
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-75, SOT-416
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
ベース部材番号 DTC114
抵抗基地(R1) 10 kOhms
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ EMT3
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 10 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 500nA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 50mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 30 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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