画像は参考までに、仕様書を参照してください
DTC363EUT106
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| データシート: | DTC363EUT106 |
| 説明: | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ROHM Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 200mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | SC-70, SOT-323 |
| トランジスタタイプ | NPN - Pre-Biased |
| ベース部材番号 | DTC363 |
| 抵抗基地(R1) | 6.8 kOhms |
| 周波数-遷移 | 200MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | UMT3 |
| 抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 6.8 kOhms |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 80mV @ 2.5mA, 50mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 600mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 500nA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 20V |
在庫が 98 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
要求引用
下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します
Bargain Finds
