Image is for reference only , details as Specifications

DTD113ECT116

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	DTD113ECT116
説明:	NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Cut Tape (CT)
部地位	Active
-マックス	200mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ	NPN - Pre-Biased
抵抗基地(R1)	1 kOhms
周波数-遷移	200MHz
サプライヤー装置パッケージ	SST3
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	1 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
現在-コレクター・Ic (Max)	500mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	33 @ 50mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V