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DTD513ZMT2L

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	DTD513ZMT2L
説明:	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	150mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-723
トランジスタタイプ	NPN - Pre-Biased
抵抗基地(R1)	1 kOhms
周波数-遷移	260MHz
サプライヤー装置パッケージ	VMT3
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	10 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 5mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max)	500mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	140 @ 100mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	12V