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DTD713ZETL

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: DTD713ZETL
説明: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Not For New Designs
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-75, SOT-416
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
ベース部材番号 DTD713
抵抗基地(R1) 1 kOhms
周波数-遷移 260MHz
サプライヤー装置パッケージ EMT3
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 10 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
現在-コレクター・Ic (Max) 200mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 140 @ 100mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 30V

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