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DTDG14GPT100

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	DTDG14GPT100
説明:	TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Cut Tape (CT)
部地位	Active
-マックス	2W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-243AA
トランジスタタイプ	NPN - Pre-Biased
ベース部材番号	DTDG14
周波数-遷移	80MHz
サプライヤー装置パッケージ	MPT3
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	10 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	400mV @ 5mA, 500mA
現在-コレクター・Ic (Max)	1A
トラッキング・キュートフ(マックス)	500nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	300 @ 500mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	60V