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DTDG23YPT100

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: DTDG23YPT100
説明: TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 1.5W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-243AA
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
ベース部材番号 DTDG23
抵抗基地(R1) 2.2 kOhms
周波数-遷移 80MHz
サプライヤー装置パッケージ MPT3
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 22 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 400mV @ 5mA, 500mA
現在-コレクター・Ic (Max) 1A
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 300 @ 500mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 60V

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