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EMA11T2R

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート:	EMA11T2R
説明:	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Not For New Designs
-マックス	150mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
トランジスタタイプ	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
抵抗基地(R1)	4.7kOhms
周波数-遷移	250MHz
サプライヤー装置パッケージ	EMT5
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	47kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	80 @ 10mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V