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EMB6T2R

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: EMB6T2R
説明: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Not For New Designs
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
トランジスタタイプ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
ベース部材番号 MB6
抵抗基地(R1) 47kOhms
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ EMT6
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 30mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 68 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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