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EMD29T2R
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| データシート: | EMD29T2R |
| 説明: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ROHM Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| シリーズ | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 120mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | SOT-563, SOT-666 |
| トランジスタタイプ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| ベース部材番号 | *MD29 |
| 抵抗基地(R1) | 1kOhms, 10kOhms |
| 周波数-遷移 | 250MHz, 260MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | EMT6 |
| 抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 10kOhms |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA, 500mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 500nA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V, 12V |
