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EMD9FHAT2R

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: EMD9FHAT2R
説明: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ Automotive, AEC-Q101
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
トランジスタタイプ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
抵抗基地(R1) 10kOhms
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ EMT6
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) -
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 68 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max -

在庫が 7980 pcs

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