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EMF24T2R

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート:	EMF24T2R
説明:	TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Not For New Designs
-マックス	150mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-563, SOT-666
トランジスタタイプ	1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
抵抗基地(R1)	10kOhms
周波数-遷移	250MHz, 180MHz
サプライヤー装置パッケージ	EMT6
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	10kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA, 150mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V