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EML17T2R

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: EML17T2R
説明: TRANS PREBIAS PNP 0.12W EMT5
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Not For New Designs
-マックス 120mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased + Diode
抵抗基地(R1) 47 kOhms
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ EMT5
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 30mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 68 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 60 pcs

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