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IMB9AT110

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: IMB9AT110
説明: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Not For New Designs
-マックス 300mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-74, SOT-457
トランジスタタイプ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
ベース部材番号 MB9
抵抗基地(R1) 10kOhms
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ SMT6
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 68 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 5930 pcs

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