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IMD1AT108

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: IMD1AT108
説明: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Not For New Designs
-マックス 300mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-74, SOT-457
トランジスタタイプ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
抵抗基地(R1) 22kOhms
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ SMT6
抵抗器−送信機基地(R2−R2) -
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 500µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) -
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 1mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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