Image is for reference only , details as Specifications

IMH23T110

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: IMH23T110
説明: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 300mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-74, SOT-457
トランジスタタイプ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
ベース部材番号 *MH23
抵抗基地(R1) 4.7kOhms
周波数-遷移 150MHz
サプライヤー装置パッケージ SMT6
抵抗器−送信機基地(R2−R2) -
vイス(Max) @ Ib、Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA
現在-コレクター・Ic (Max) 600mA
トラッキング・キュートフ(マックス) -
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 820 @ 50mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 20V

在庫が 2817 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

UMC4N-7
Diodes Incorporated
$0
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
IMH5AT108
ROHM Semiconductor
$0
DDA144EU-7
Diodes Incorporated
$0
RN1909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0