IMH23T110
メーカー: | ROHM Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
データシート: | IMH23T110 |
説明: | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ROHM Semiconductor |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
シリーズ | - |
包装 | Digi-Reel® |
部地位 | Active |
-マックス | 300mW |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | SC-74, SOT-457 |
トランジスタタイプ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
ベース部材番号 | *MH23 |
抵抗基地(R1) | 4.7kOhms |
周波数-遷移 | 150MHz |
サプライヤー装置パッケージ | SMT6 |
抵抗器−送信機基地(R2−R2) | - |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 150mV @ 2.5mA, 50mA |
現在-コレクター・Ic (Max) | 600mA |
トラッキング・キュートフ(マックス) | - |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 820 @ 50mA, 5V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 20V |
在庫が 2817 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1