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IMH8AT108

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: IMH8AT108
説明: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Not For New Designs
-マックス 300mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-74, SOT-457
トランジスタタイプ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
ベース部材番号 *MH8
抵抗基地(R1) 10kOhms
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ SMT6
抵抗器−送信機基地(R2−R2) -
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 1mA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) -
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 1mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 3000 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最小: 1

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