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QS8M12TCR

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: QS8M12TCR
説明: MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ N and P-Channel
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス 1.5W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SMD, Flat Lead
ベース部材番号 *M12
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 42mOhm @ 4A, 10V
サプライヤー装置パッケージ TSMT8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 3.4nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 4A

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