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R6004JND3TL1

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	R6004JND3TL1
説明:	MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	7V @ 450µA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.43Ohm @ 2A, 15V
電力放蕩(マックス)	60W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-252
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 15V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	260pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	4A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	15V