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R6006JNJGTL

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	R6006JNJGTL
説明:	R6006JNJ IS A POWER MOSFET WITH
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	7V @ 800µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	936mOhm @ 3A, 15V
電力放蕩(マックス)	86W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	LPTS (D2PAK)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	15.5nC @ 15V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	410pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	6A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	15V