Image is for reference only , details as Specifications

R6006KND3TL1

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	R6006KND3TL1
説明:	NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 1mA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	830mOhm @ 3A, 10V
電力放蕩(マックス)	70W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-252
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	6A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V