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R6030ENZ1C9

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	R6030ENZ1C9
説明:	MOSFET N-CH 600V 30A TO247
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	130mOhm @ 14.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	120W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-247
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2100pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	30A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V