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R8002ANX

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: R8002ANX
説明: MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Bulk
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 4.3Ohm @ 1A, 10V
電力放蕩(マックス) 35W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220FM
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 12.7nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 800V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 2A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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