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RCD075N19TL

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	RCD075N19TL
説明:	MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Not For New Designs
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	336mOhm @ 3.8A, 10V
電力放蕩(マックス)	850mW (Ta), 20W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	CPT3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	190V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	7.5A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4V, 10V