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RCD100N20TL

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: RCD100N20TL
説明: MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Not For New Designs
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 5.25V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 182mOhm @ 5A, 10V
電力放蕩(マックス) 850mW (Ta), 20W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ CPT3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 10A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 53 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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