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RD3L08BGNTL

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: RD3L08BGNTL
説明: RD3L08BGN IS A POWER MOSFET, SUI
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 5.5mOhm @ 80A, 10V
電力放蕩(マックス) 119W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-252
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 71nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 3620pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c 80A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

在庫が 2500 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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