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RD3S100CNTL1

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: RD3S100CNTL1
説明: NCH 190V 10A POWER MOSFET
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 182mOhm @ 5A, 10V
電力放蕩(マックス) 85W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-252
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 190V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 10A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4V, 10V

在庫が 2428 pcs

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