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RDN100N20FU6

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: RDN100N20FU6
説明: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Bulk
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 360mOhm @ 5A, 10V
電力放蕩(マックス) 35W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220FN
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 543pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 10A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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