RF4E100AJTCR
メーカー: | ROHM Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | RF4E100AJTCR |
説明: | MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ROHM Semiconductor |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | - |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vgs max | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 8-PowerUDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 12.4mOhm @ 10A, 4.5V |
電力放蕩(マックス) | 2W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | HUML2020L8 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 30V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1460pF @ 15V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 10A (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 4.5V |
在庫が 3000 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.32 | $0.31 | $0.31 |
最小: 1