画像は参考までに、仕様書を参照してください
RGT8NS65DGC9
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | RGT8NS65DGC9 |
| 説明: | IGBT |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ROHM Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | Trench Field Stop |
| 包装 | Tube |
| 入力タイプ | Standard |
| 門電荷 | 13.5nC |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 65W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 実験条件 | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| スイッチングエネルギー | - |
| td (on / off) @ 25°c | 17ns/69ns |
| 作動温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-262 |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| 反転回復時間(trr) | 40ns |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 8A |
| 現在-コレクターピン(Icm) | 12A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 650V |
在庫が 1000 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.73 | $1.70 | $1.66 |
最小: 1
要求引用
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