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RGTH60TS65DGC11

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: RGTH60TS65DGC11
説明: IGBT 650V 58A 194W TO-247N
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 58nC
部地位 Active
-マックス 194W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 400V, 30A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー -
td (on / off) @ 25°c 27ns/105ns
作動温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247N
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
反転回復時間(trr) 58ns
現在-コレクター・Ic (Max) 58A
現在-コレクターピン(Icm) 120A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

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