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RGTVX6TS65DGC11

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: RGTVX6TS65DGC11
説明: IGBT
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
入力タイプ Standard
門電荷 171nC
部地位 Active
-マックス 404W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 400V, 80A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 45ns/201ns
作動温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247N
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 80A
反転回復時間(trr) 109ns
現在-コレクター・Ic (Max) 144A
現在-コレクターピン(Icm) 320A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

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