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RP1E090RPTR

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: RP1E090RPTR
説明: MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-SMD, Flat Leads
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 16.9mOhm @ 9A, 10V
電力放蕩(マックス) 2W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ MPT6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 9A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4V, 10V

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