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RQ3E100MNTB1

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	RQ3E100MNTB1
説明:	MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Discontinued at Digi-Key
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	12.3mOhm @ 10A, 10V
電力放蕩(マックス)	2W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	8-HSMT (3.2x3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	9.9nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	520pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	10A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V