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RQ3E110AJTB

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	RQ3E110AJTB
説明:	RQ3E110AJ IS LOW ON-RESISTANCE A
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±12V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	11.7mOhm @ 11A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	2W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	8-HSMT (3.2x3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	13.5nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	11A (Ta), 24A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	2.5V, 4.5V