画像は参考までに、仕様書を参照してください

RQ3L090GNTB

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: RQ3L090GNTB
説明: NCH 60V 30A MIDDLE POWER MOSFET
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 300µA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 13.9mOhm @ 9A, 10V
電力放蕩(マックス) 2W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 8-HSMT (3.2x3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 24.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c 9A (Ta), 30A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

在庫が 3000 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

TSM033NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
SI7850ADP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SIRA01DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
MCAC80N06Y-TP
Micro Commercial Co
$0
BUK7Y3R0-40HX
Nexperia USA Inc.
$0