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RQ6E040XNTCR

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	RQ6E040XNTCR
説明:	RQ6E040XN IS THE LOW ON-RESISTAN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	50mOhm @ 4A, 10V
電力放蕩(マックス)	950mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	TSMT6 (SC-95)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	3.3nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	4A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4V, 10V