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RQ6E085BNTCR

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: RQ6E085BNTCR
説明: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-74, SOT-457
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 1.25W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ SOT-457
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 32.7nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 8.5A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 1750 pcs

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